X-FAB、初の200V SOIファウンダリー技術を発表

XT018はシングルチップで複数の高電圧レベルを実現

X-FAB Silicon Foundriesは本日、世界初の180nm、200V MOS向けトレンチ誘電体分離 SOIファウンダリー技術、XT018 を発表しました。モジュール化されたこのプロセスは、完全な誘電体分離により複数の電圧レベルのブロックを単一のチップに統合することが可能です。これによりプリント基板に必要な追加部品の数が大幅に削減されるとともに、ラッチアップを解消し、電磁干渉に対する耐性も達成されます。

8XT018 SOI技術は100Vから200Vの電圧範囲を必要とするアプリケーション向けとして10nmで唯一のファウンダリープロセスです。双方向分離を必要とするコンシューマー、医療機器、通信インフラおよび産業用アプリケーション、たとえばPoE アプリケーション、超音波トランスミッタドライバ、ピエゾアクチュエータ、容量ドライブ型マイクロメカニクスなどに理想的です。

この新技術は高電圧ドレインのための完全に分離されたMOSトランジスタを180nmテクノロジと組み合わせ、1.8V / 5.0V I/O、および6層メタルまでに対応したものです。スーパージャンクション構造と特許取得済みの誘電体高耐圧終端技術を活用した独自のプロセスアーキテクチャにより、100V MOSトランジスタで0.3Ωmm²、200V MOSトランジスタで1.1Ωmm² という低いRonによるコンパクトな設計が可能になります。HV MOS トランジスタはローサイド、ハイサイド両方の動作で同一の電気的特性を持つよう設計されています。

XT018プロセスはモジュール化されており、アナログ主体のアプリケーション用の5V専用モジュールや、個別に選択可能なHVnmos、HVpmosモジュールなどが用意されています。このテクノロジは -40°C から175°Cの温度範囲で完全にキャラクタライズされています。

HVトランジスタに加えて、新しいXT018テクノロジでは大電流配線をサポートする厚膜メタルオプション、分離型10V MOS、基本的なジャンクションダイオードおよびバイポーラトランジスタ、中～高シートのポリ抵抗、面積効率の良い高容量MIM（2.2～6.6 fF/µm²）、高耐圧キャパシタも提供しています。 スーパージャンクション技術により逆回復時間20nsの整流ダイオードが可能になり、整流およびブートストラップ回路をオフチップではなくオンチップで効率よく統合することができます。

X-FABの高電圧製品マーケティングマネージャ、Sebastian Schmidtは次のように語っています。「当社の XT018 テクノロジは傑出した誘電体分離により高耐圧をサポートしています。この分離技術は短いイノベーションサイクルに対応した設計を容易にし、効率的ですので、市場投入までの期間短縮につながります。」

XT018 PDKは現在提供中であり、設計者はすぐに設計を開始することが可能です。  

X-FAB は年末にかけて新プロセス XT018 の無料オンラインセミナーを実施する計画です。

X-FABについて

X-FABはアナログ-デジタル集積回路（ミックスドシグナルIC）用シリコンウェハを製造する世界有数のアナログ／ミックスドシグナルファウンダリーグループです。X-FABはエルフルト、ドレスデンおよびイツェホー（ドイツ）、テキサス州ラボック（米国）、サラワク州クチン（マレーシア）にウェハ製造工場を有し、従業員は全世界でおよそ2,400名です。ウェハは先端的なモジュラー型CMOSおよびBiCMOSプロセス、ならびにMEMSプロセスに基づき1.0～0.13 µmテクノロジに対応し、主に車載、通信、民生および産業用アプリケーション向けに製品を提供しています。詳しい情報は、www.xfab.comを参照してください。

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