X-FAB, 최초로 200V SOI 파운드리 기술 발표

NEWS, Erfurt, Germany, 11월 8, 2012.

단일 칩에 다중의 고전압을 구현하는 XT018 기술

X-FAB 실리콘 파운드리는 180nm 테크놀러지 노드에서 200V MOS 구현할 있는 세계 최초의 트렌치 절연 격리 SOI 파운드리 기술인 XT018 오늘 발표했다. 모듈 공정의 완전한 절연 격리 기술을 이용함으로써 서로 다른 전압의 블록을 기존에 여러 칩에 나누어 배치하던 대신 단일칩에 집적할 있는 기회를 마련하였다.

기술을 통하여 PCB(인쇄회로기판)에서 필요되는 부수적인 부품 수를 획기적으로 줄일 있게 되었으며, 래치업을 제거하고, 또한 전자기 간섭을 강력하게 막아낼 있게 되었다.

XT018 SOI 기술은 100V에서 200V 전압대역이 필요한 어플리케이션을 180nm에서 구현할 있는 유일한 파운드리 공정이다. 기술은 PoE 어플리케이션, 초음파송신기 드라이버, 압전 작동기, 그리고 용량에 중점을 마이크로 공학과 같이 양방향의 격리가 필요한 컨슈머, 의료, 통신 인프라, 그리고 산업 어플리케이션에 매우 이상적이다.

신기술은 고전압 드레인을 위해 완전히 격리된 MOS 트랜지스터와 1.8V / 5.0V I/O 최대 6개의 메탈층을 구현하는 180nm 기술을 결합한 것이다. 수퍼-접합 구조를 MOS 트랜지스터를 위한 절연 HV 단절 특허기술에 활용하는 독특한 공정 구조를 통해 100V에서는 0.3Wmm², 200V에서는 1.1Wmm²정도로 낮은 Ron으로 nMOS 트랜지스터를 아주 조밀하게 설계할 있다. HV MOS 트랜지스터는 낮거나 높게 작동되는 곳에서 모두 동일한 전기적 파라미터를 가지도록 고안된 것이다.

XT018 공정의 모듈 방식은 아날로그형 어플리케이션을 위해 5V 제공하는 모듈과 함께 별도로 선택할 있는 HVnmos HVpmos 포함하고 있다. 기술은 영하40°C에서 175°C 이르는 온도영역에 대해서 특성분석이 완료되었다.

HV 트랜지스터에 더하여, XT018 신기술은 고전압 캐패시터뿐만 아니라 고전류 라우팅, 격리된 10V MOS, 기초 접합 다이오드, 바이폴러 트랜지스터, 중간 또는 높은 저항값의 폴리실리콘 저항, 효율적인 면적과 높은 용량을 가지는 MIM(2.2에서 6.6 fF/µm²) 지원하기 위한 두꺼운 메탈 옵션을 제공한다. 수퍼-접합 기술을 통해 다이오드의 20ns 역회복시간을 바로잡고, 정류기와 부트스트랩 회로를 위에 효율적으로 집적할 있게 되었다.

X-FAB 고전압 제품 라인의 마케팅 매니저인 Sebastian Schmidt우리의 XT018 기술은 절연 격리 고전압을 탁월하게 지원할 있습니다. 이러한 격리 기술을 통하여 짧은 혁신 사이클을 위한 설계를 쉽게 있고, 매우 간단하며, 따라서 결과적으로 더욱더 신속히 시장에서 대응할 있습니다.”라고 말했다.

XT018 PDK 현재 사용 가능하며 설계자들은 즉시 설계를 시작할 있다.

X-FAB XT018 공정에 관한 무료 웨비나를 올해 말에 개최할 계획이다.

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X-FAB 소개
X-FAB 아날로그-디지털 집적회로(혼합 신호 IC) 실리콘 웨이퍼를 제조하는 선도적인 아날로그/혼합 신호 파운드리 그룹입니다. X-FAB 독일의 에르푸르트, 드레스덴, 이쩨회, 또한 미국의 텍사스 러벅, 그리고 말레이시아의 사라왁 쿠칭에서 웨이퍼 생산 설비를 운영하고 있으며, 전세계에 걸쳐서 2,400여명의 직원이 근무하고 있습니다. 웨이퍼는 MEMS공정뿐만아니라 선진 모듈러 CMOS BiCMOS 공정을 기반으로 1.0~0.13 마이크로미터 범위의 기술로 제조되며 주로 자동차, 통신, 소비 산업 분야에 적용되고 있습니다. 자세한 내용은 www.xfab.com 참조하십시오.

< 용어 설명 >

 

 

 

BiCMOS

Bipolar junction transistor and CMOS transistor integration

CMOS

Complementary metal oxide semiconductor

HV

High-voltage

Hvnmos

High-voltage n-channel metal-oxide semiconductor

Hvpmos

High-voltage p-channel MOS

MIM

Metal-insulator-metal

MOS

Metal oxide semiconductor

nm

Nanometer

PCB

Printed circuit board

PDK

Process design kit

Ron

On-resistance

SOI

Silicon-on-Insulator

V

Volt

 

 

 

 

Deep Trenches with Active and Shallow Trench Region