X-FAB의 High-Voltage 0.18um 파운드리 공정에서의 eFlash제공

NEWS, Erfurt, Germany, 7월 5, 2011.

XH018 eFlash솔루션은 복합 SoC칩으로의 응용을 위한high voltage 임베디드 플래시의 결합을 통한 업계에서 가장 효율적인 비용 절감 구현


Erfurt, Germany, July 5, 2011 –
월등하게 신뢰성이 뛰어난 새로운 임베디드 플래시 솔루션을 제공하는 0.18um high voltage공정인 XH018 엑스팹 실리콘 파운드리는 오늘 선보였다. 이번에 공개되는 새로운 솔루션은 업계에선 가장 적은 전체 32개의 마스크수로 임베디드 플래시와 아날로그, 디지털 high voltage특징의 모듈식 결합을 제공한다. 플래시 모듈만은 오직 2개의 마스크를 필요로 한다. 이번의 새로운 솔루션의 제공으로 반도체업계에서는 가장 낮은 비용으로 시스템온칩 플래트폼을 구현하는 계기를 마련하게 되었다. 또한, 45V까지의 동작 전압뿐만 아니라 EEPROM, 비휘발성 RAM, 그리고 임베디드 플래시의 스토리지 아키텍쳐의 통합을 동시에 지원하는 새로운 임베디드 온칩 메모리 솔루션은 high speed 마이크로 컨트롤러, 디지털 전력및 자동차의 응용에 아주 이상적이라 수가 있다. 엑스팹은 신뢰성이 뛰어난 비휘발성 메모리 – 0.18um임베디드 플래시 임베디드 비휘발성 메모리 솔루션이란 제목으로 새로운 솔루션에 대한 소개를 하기 위해 북미및 남미에서는 2011 7 12 그리고 유럽및 아시아에서는 2011 7 13일에 무료 웹세미나를 개최한다.


지금
현재 가지 블록형태인 8Kx32-bit 16Kx32-bit 사용할 있는 새로운 XH018 임베디드 플래시 솔루션은 임베디드 메모리에 비해 통합하기가 손쉽고 빠른 접근시간을 보이며 신뢰성측면에서 훨씬 우수함을 보인다. 이번의 새로운 XH018 임베디드 플래시 솔루션은 에러가 있을 경우에는 수정도 선택적으로 있는 에러 정정 코드 (ECC) 특징도 포함하고 있다. 또한, 1.8V 3.3V 동작 전압을 필요로 하며 전반적인 동작범위 내에서는 온도나, 전압 공정의 변화와 상관없이 50나노초의 빠른 접근 시간을 재현할 수가 있다. 더욱이, 1MHz 200마이크로 암페어의 매우 저전력 소모의 특성을 지닐뿐만 아니라, 섭씨 175도씨까지의 고온의 접합 온도에 대해서도 메모리 읽기 동작을 지원한다.


엑스팹의
사장 루디 윈테르는 우리의 고객들은 전반적인 제품 군을 개발하기 위한 플랫폼으로 임베디드 플래시 기술을 사용한다고 우리에게 전했다. 우리의 XH018 임베디드 플래시 솔루션을 이용해서 우리의 고객들은 단순히 소프트웨어의 변경을 통해서 어플리케이션 특정 표준 제품 (ASSP) 성능이나 배열을 개발할 수가 있다. 따라서 집적, 배열 사용하기가 용이한 매우 신뢰성이 높은 단일 비휘발성 메모리 아키텍처를 이용한 완성적인 제품 군을 개발할 수가 있다. XH018 임베디드 플래시 솔루션은 저비용 복합 SoC 개발하기 위한 high voltage 임베디드 플래시의 완벽한 결합을 제공하는 기술이다. “라고 언급했다.


XH018
임베디드 플래시 솔루션은 지금 현재 제공되고 있는 일회성 프로그래밍 TrimOTP 비휘발성 랜덤 엑세스 메모리인 NVRAM 포함한 엑스팹의 기존의 임베디드 비휘발성 메모리 제공의 새로운 솔루션으로 고객들에게 더욱 많은 선택의 폭을 제공하게 되었다. 이러한 솔루션은 디자이너들이 원하는 기술적 필요 요건에 따라 배열함으로써 메모리 블록을 용도에 맞추어서 사용할 있게끔 하는 컴파일러 도구를 제공하는 것도 포함하고 있다.


Availability

XH018 비휘발성 메모리 디자인킷과 플래시 IP 블록은 라이선스를 맺은 후에 엑스팹의 온라인 기술 정보 플래트폼인 X-TIC 통해서 이용이 가능하다. 다만, EEPROM IP블럭들은 2011 4분기에 이용가능하다. 사용가능한 메모리 IP 블럭들은 지금 현재 품질인증과정의 일환으로 포괄적인 실험을 진행 중에 있다. 엑스팹은 또한 내년 초에 추가적인 메모리 사이즈 고온 특성평가를 제공할 계획을 가지고 있다.