X-FAB が専業ファウンダリーとして初めて 0.35 ミクロンで 100V の 高耐圧プロセスを発表、既存デバイスのシリコン面積を縮小。

NEWS, Erfurt, Germany, 7月 15, 2010.

動作電圧範囲は45 100V で、バッテリー制御、

パワー・オーバー・イーサーネット、インクジェットや超音波イメージングのためのピエゾ駆動、その他の新しい高成長アプリケーションなどに適しています

2010715 日(ドイツ、エルフルト)-アナログ/ミックスドシグナル ファウンダリーのトップ企業であり、卓越した「More than Moore」の技術を誇るX-FABシリコンファウンダリー社は本日、 業界で初めてとなる100V 0.35ミクロンファウンダリープロセスを発表しました。これにより、バッテリー制御のための高信頼性・高性能のバッテリーモニター・保護システムの構築が可能になります。また、パワーマネージメントや、ピエゾドライバーを用いた超音波イメージングやインクジェットプリンターヘッドなどといったアプリケーションに対しても理想的なプロセスです。この新しい高耐圧トランジスタは、100V までの複数の動作電圧範囲を持つ、P型・N型の新しいDMOS (double-diffused metal-oxide-semiconductor) 構造をとっており、オン抵抗が45%も小さく、シリコン面積を最大40%も縮小でき、コストを削減できます。X-FAB は、727日、28日に、世界に向けて無料で開催されるウェビナー「Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process」で、この新しいプロセスを詳しく紹介する予定です。

X-FAB 社最高技術責任者Jens Koschは、次のように述べています。「ハイブリッドや電気自動車、太陽電池、風力タービン用の再生可能エネルギー源の増加に伴い、安全で高性能なエネルギー貯蔵方法が求められています。X-FABの新しい特別な高耐圧プロセスを使うことにより、お客様は、これらやその他の著しい成長が期待される新しいアプリケーションをローコストで実現することができます。世界中の主要な自動車メーカーも、バッテリーのパワーマネージメントに対して大きな興味を示しています。X-FABの新しい高耐圧プロセスを用いると、安全で高性能なバッテリーモニター・保護システムを作ることが出来ます。」

トータルコストの削減

X-FABの新しいP型・NDMOSトランジスタは、14nmもしくは40nmのゲート酸化膜厚を持っており、動作電圧55V75V100Vのアプリケーションに対して、ゲートのコントロール電圧として5V12V を選ぶことが出来ます。オン抵抗の大幅な削減、トリミングやプログラミング用のEEPROMのベースラインプロセスへの集積化、第三メタル層で厚膜を可能にしたことなどにより、求める機能実現のためのトータルコストを大きく削減しました。さらに、新たに加えられたアイソレーションされた5V NMOSPMOSは、最高の動作電圧100Vまで基板から浮かせることができます。ショットキーダイオード、20Vおよび100Vの高耐圧容量・バイポーラトランジスタなども加えられています。

上述の全ての機能およびデバイスは、現在0.35ミクロン高耐圧プロセス(XH035)にてすでに利用可能です。

X-FAB について

X-FABは、アナログ/ミックスドシグナル集積回路(ミックスドシグナルIC)向けのシリコンウエハを製造し、アナログ/ミックスドシグナルの分野で世界をリードするファウンダリーです。製造拠点はドイツのエルフルトおよびドレスデン、米テキサス州のラボック、マレーシアのサラワク州クチンにあり、約2400名の従業員が世界中で勤務しています。ウエハは1.0umから0.18umにわたる技術を備えた、モジュール化CMOS及びBiCMOS先端プロセスで製造されており、そのアプリケーションは主に自動車、通信、民生、産業の各分野に広がっています。詳しい情報はwww.xfab.comをご覧ください。