X-FAB、180nmプロセスを携帯アナログアプリケーション向けに最適化

NEWS, Erfurt, Germany, 6月 24, 2013.

拡張されたXP018では、5Vトランジスタをコアにすることで フォトレイヤー数が少なくなります。低Ronの5V、12Vドライバー用MOSトランジスタオプションも サポートしており、チップコスト削減に寄与します。

 

2013618日、ドイツ、エルフルト発 X-FAB Silicon Foundries は本日、XP018プロセスの拡張する複数のオプションを発表しました。これにより、オーディオやセンサーインターフェースなどのハイパフォーマンスアナログや、5V環境の電源制御アプリケーションでのチップコスト削減が可能になります。また、180nmプロセスにアナログを集積化するような、コストに敏感な民生のアプリケーションに対してもXP018は最適なプロセスとなります。

X-FAB XP018プロセスで、アナログ設計の低コスト化を可能にする複数の方法を提供します:

新しく導入された5V単一電圧オプションでは、1.8Vを無くすことにより、マスク枚数を削減します。コストに敏感な携帯向けにも最適です。

I/Oセル、デジタルライブラリ、OTPメモリーやアナログブロックも用意されたこの5V環境はXP018の全ての高耐圧オプションと共存可能で、あらゆるドライバーデバイスに対して理想的なものとなっています。Ronの最適化を行った12Vトランジスタと組み合わせることにより、ピエゾや容量型の素子をドライブするようなアプリケーションで必要となるシリコンの面積を最少にします。さらに、16kビットまでのトリミング用途向けのOTPメモリーコンパイラも準備されており、少ビット数向けのポリヒューズを補うものとなっています。

アプリケーションに適応したメタル配線 – XP018プラットフォームで初めて導入されたメタルモジュールコンセプト により、さらに設計コストを削減可能です。メタル層間に、柔軟で効率的にMIM容量を配置することが可能になります。

また、60Vメタルフリンジ容量と1kOhm/□の中抵抗ポリを用いると、60Vの電源の範囲内での高耐圧アプリケーション向けのデザインが容易になります。

X-FABの高耐圧製品マーケティングマネージャ、Sebastian Schmidtは次のように語っています。「この新しいオプションは、お客様に大きな利益をもたらします。競争力の有るこの20レイヤープロセスを用いて、180nmの高密度ロジックと、5V12V50Vまでのプッシュプルドライバーを組み合わせた、ミックスドシグナルのSoCを作ることができます。さらに、不揮発性メモリーと組み合わせることもできます。つまりこのプロセスは、スマートドライバーやスマートアナログIC向けの理想的なプロセスです。」

この新しい拡張版XP018 プロセスは、自動車向けの信頼性検証 – X-FABの標準仕様 を満たしており、完全なPDK、および、動作温度範囲-40175℃をサポートしています。

準備状況

この拡張版XP018プラットフォームは、既に利用可能で、設計者は直ちにこれらのオプションを使うことができます。

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X-FABについて

X-FABはアナログ-デジタル集積回路(ミックスドシグナルIC)用シリコンウェハを製造する世界有数のアナログ/ミックスドシグナルファウンダリーグループです。X-FABはエルフルト、ドレスデンおよびイツェホー(ドイツ)、テキサス州ラボック(米国)、サラワク州クチン(マレーシア)にウェハ製造工場を有し、従業員は全世界でおよそ2,400名です。ウェハは先端的なモジュラー型CMOSおよびBiCMOSプロセス、ならびにMEMSプロセスに基づき1.0~0.13 µmテクノロジに対応し、主に車載、通信、民生および産業用アプリケーション向けに製品を提供しています。詳しい情報は、www.xfab.comを参照してください。