X-FAB Sarawak beginnt mit Serienfertigung von 0,35-Mikrometer-Analog/Mixed-Signal-Hochvolttechnologie

Erfurt, Germany, September 3, 2008.

Wie X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende Halbleiterfoundry für analoge und gemischt analog-digitale integrierte Schaltkreise, heute bekanntgab, ist ihre malaysische Produktionsstätte in Kuching, Sarawak, mit ihrer modernen 200-mm-Fertigungsanlage nun vollständig qualifiziert für die Serienfertigung und duale Produktion von X-FAB’s 0,35-Mikrometer-Hochvoltprozesstechnologie XH035. Diese Prozesstechnologie eignet sich ideal für eine große Vielfalt von Applikationen, einschließlich Hochfrequenztechnologie (HF) und Power Management, Mixed-Signal-Hochpräzisionsschaltkreise mit niedrigem Stromverbrauch, analoge Front-Ends für Sensoren, integrierte Mixed-Signal-Systeme und System-on-Chips (SoCs) sowie Automobilanwendungen.

Die flexible XH035-CMOS-Technologie lässt sich leicht mit einer großen Bandbreite von zusätzlichen Modulen erweitern, wie zum Beispiel Drei- und Vier-Lagen-Metallisierung, einem zweiten Gate-Oxid für Transistoren mit verschiedenen Durchbruchspannungen bis zu 50 Volt, gut isolierten 3,3- und 5-Volt-Transistoren oder EEPROM-Speicherblöcken. Die volle Modularität im Front-End und Back-End Bereich garantiert einen schlanken Prozessablauf und eine minimale Anzahl von Masken. Der Prozess erfüllt zudem den strengen AEC-Q100-Standard für Automobilanwendungen.

Der XH035-Prozess umfasst eine große Vielfalt von aktiven und passiven Schaltungselementen für verschiedene Designanforderungen im Analog/Mixed-Signal-Bereich, darunter Hochvolt NMOS, PMOS und DMOS Transistoren, Doppel-Poly- und MIM-Kapazitäten, hochohmige Widerstände und Widerstände mit niedrigem Temperaturkoeffizienten. Außerdem bietet der Prozess ausgezeichnetes Matchingverhalten, Hochvoltschaltungselemente mit geringem On-Widerstand sowie integrierte nichtflüchtige Speicheroptionen. Er beinhaltet weiterhin zahlreiche kompakte, auf Fläche, Geschwindigkeit, Stromverbrauch oder Rauscharmut optimierte Standardzellenbibliotheken sowie I/O-Bibliotheken einschließlich ESD-Unterstützung und zahlreichen verifizierten analogen IP-Bibliotheken. Darüber hinaus stehen Erweiterungen für HF-CMOS-Bauelemente für Applikationen bis zu 2,4 GHz, Bluetooth, WLAN und ISM-Sender/Empfänger zur Verfügung.

Die nächste Prozesserweiterung, die sich bereits in der Phase der Entwicklungsfreigabe befindet, wird demnächst eine äußerst kompakte Einzel-Poly-EEPROM-Zelle zur Verfügung stellen, die 30 Prozent kleiner ist und zwei Maskenlagen weniger benötigt als heutige EEPROM-Zellen. Schaltkreisentwicklungen und Risikofertigungen mit dieser erweiterten Prozessversion können heute schon gestartet werden.