Neuer 0,18-Mikrometer-Prozess von X-FAB maximiert Kosteneffizienz bei der Entwicklung von Analog/Mixed-Signal-Schaltkreisen...

Erfurt, Germany, April 8, 2008.

... für Automobil- und Power-Management-Anwendungen

Modularer 0,18-Mikrometer-Foundry-Prozess verbindet digitale und analoge Optionen, Hochvolttechnologien und integrierte nichtflüchtige Speicher mit dem besten Leistungs-Kosten-Verhältnis in der gesamten Industrie

ERFURT, Deutschland, 8. April 2008 – X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende Foundry für die Fertigung von analog-digitalen integrierten Schaltkreisen, stellt ab sofort einen neuen Prozess zur Verfügung: die 0,18-Mikrometer-Hochvolt-Analog/Mixed-Signal-Plattform XH018. Als kosteneffizientester modularer Analog/Mixed-Signal-Prozess der Foundry-Industrie bietet XH018 integrierte digitale, analoge, Hochvolt- und nichtflüchtige Speicheroptionen (NVM). Diese Kombination entspricht den Entwicklungsanforderungen hochmoderner Analog/Mixed-Signal- und Hochvolt-Schaltkreise und erlaubt den Foundry-Kunden, ihre Lösungen im Hinblick auf die Kosteneffizienz zu optimieren, indem sie ausschließlich die Optionen auswählen, die ihren spezifischen Erfordernissen entsprechen. Mit Hilfe dieses neuen Prozesses können sie wettbewerbsfähige, kleinere Schaltkreise erstellen und ihre analoge IP für verschiedene Entwicklungsprojekte wieder verwenden.

Der neue Prozess umfasst eine große Vielfalt von aktiven und passiven Schaltungselementen um den verschiedensten Entwicklungsanforderungen an Analog/Mixed-Signal-Schaltkreise zu genügen. Dazu gehören isolierte NLDMOS- und PLDMOS Transistoren. Der Einschaltwiderstand des NLDMOS beträgt nur 60 Milliohm mal Quadratmillimeter bei einer Durchbruchspannung von 50 Volt. Der Prozess bietet außerdem Verarmungs- und Bipolar-Transistoren, MOS-Transistoren mit Druchbruchsspannungen von 10V und 15V sowie MIM-Kapazitäten, Poly-Widerstände mit 8 Kiloohm pro Quadrat an. Bei den typischen, für Analog/Mixed-Signal-Anwendungen verwendeten Speichergrößen, hat der integrierte Sonos-NVSRAM extrem kompakte Abmessungen und ist damit kleiner als vergleichbare EEPROM-Lösungen. Der für seine Zuverlässigkeit bekannte Sonos-Speicher erfüllt außerdem die hohen Anforderungen der Automobil-Qualitätsstandards. Für die Hochvoltoptionen werden fünf Masken benötigt, für den Sonos-NVM zusätzlich zwei – somit erfordert eine vollständig integrierte Lösung mit digitalen, analogen, Hochvolt- und NVM-Optionen nur sieben Masken mehr als der digitale Basisprozess. Der Prozess wird durch X-FAB’s digitale Bibliotheken mit Gatterdichten bis zu 115K Gattern pro Quadratmillimeter unterstützt. Weiterhin sind analoge Standardzell-Bibliotheken in der Entwicklung, sie werden im Laufe des Jahres bereitgestellt.

Dazu Dr. Jens Kosch, Chief Technology Officer bei X-FAB: „Die Anforderung unserer Kunden war es, einen Hochleistungsprozess anzubieten, der wettbewerbsfähige Designs ermöglicht, mit einem Designsupport, welcher es ihnen erlaubt, schnelle Marktreife zu erzielen. X-FAB erfüllt diese Bedürfnisse mit einer Kombination von Angeboten: unserem neuen 0,18-Mikrometer-Analog/Mixed-Signal-Prozess mit integrierten Hochvolt- und NVM-Optionen, der das beste Preis-Leistungs-Verhältnis der gesamten Industrie bietet; und unserem Designsupport, der in der Industrie ebenso Maßstäbe setzt. Neben den Designkits kommen analoge, digitale und I/O-Bibliotheken sowie IP-Blöcke und die Unterstützung durch unsere Hotline hinzu."

Verfügbarkeit
Die Analog/Mixed-Signal-Plattform XH018 steht ab sofort für die Volumenfertigung von großen Stückzahlen im Werk X-FAB Sarawak in Malaysia zur Verfügung.


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