X-FAB kündigt erste 0,35-Mikrometer-100V-Hochvolt-Foundrytechnologie an und verkleinert bestehende Transistoren

NEWS, Erfurt, Germany, Juli 15, 2010.

Neuer Betriebsspannungsbereich von 45 bis 100 Volt unterstützt Lithium-Ionen-Akku-Management, Power-over-Ethernet, Piezotreiber für Tintenstrahldrucker und Ultraschallbildgebung und weitere Anwendungen mit hohem Wachstumspotenzial

X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry mit Expertise in „More than Moore“-Technologien, kündigte heute den ersten 100V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-Mikrometer-Technologie der gesamten Industrie an. Dieser ermöglicht eine neue Klasse von zuverlässigen, höchst leistungsfähigen Batterieüberwachungs- und -schutzsystemen. Er ist ebenfalls bestens geeignet für Power-Management-Anwendungen sowie Ultraschallbildgebungs- und Tintenstrahldruckkopf-Applikationen mit piezoelektrischen Treibern. Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden. X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar mit dem Titel „Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process“ (auf Englisch) vorstellen, das weltweit am 27. und 28. Juli stattfinden wird.

Dazu Jens Kosch, CTO bei X-FAB: „Die wachsende Beliebtheit von Quellen erneuerbarer Energien für Hybrid- und Elektroautos, photovoltaische Zellen und Windturbinen erfordert sichere, hochleistungsfähige Energiespeicher-Management-Lösungen. Mit X-FAB’s neuem Hochvoltprozess können unsere Kunden diese und andere neue Anwendungen mit starkem Wachstumspotenzial adressieren – zu geringeren Kosten. So haben zum Beispiel namhafte Automobilhersteller auf der ganzen Welt großes Interesse an Power-Management-Lösungen für Lithium-Ionen-Akkus. Mit X-FAB’s neuem HV-Prozess können sie sicherere Batterieüberwachungs- und -schutzsysteme mit höherer Leistungsfähigkeit realisieren.“

Geringere Kosten pro Funktion

X-FAB’s neue und verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit Gate-Oxid-Dicken von 14 nm oder 40 nm bieten Anwendern die Wahl zwischen 5V- oder 12V-Steuerspannung für Anwendungen mit Betriebsspannungen von 55V, 75V und 100V. Durch die erhebliche Verringerung des Einschaltwiderstandes, die Integration einer EEPROM-Funktion zum Speichern von Programm- und Abgleichinformationen in den Basisprozess und die Option einer dicken, dritten Metalllage konnte X-FAB die Kosten pro Funktion deutlich senken. Neu hinzugefügte 5V-NMOS- und -PMOS-Transistoren können zudem zwischen Masse und der maximalen Betriebsspannung von 100V floaten. Als weitere Schaltungselemente wurden auch Schottky-Dioden, 20V- und 100V-Hochvolt-Kapazitäten sowie bipolare Transistoren verbessert.

Verfügbarkeit

Alle oben erwähnten Funktionen und Schaltungselemente stehen ab sofort im Rahmen von X-FAB’s 0,35-Mikrometer-Hochvolt-Prozessangebot (XH035) zur Verfügung.