X-FAB erweitert 0,18-Mikrometer-Hochvolt-Foundryprozess um eFlash-Option

NEWS, Erfurt, Germany, Juli 5, 2011.

XH018-eFlash-Technologieerweiterung bietet kosteneffizienteste Kombination von Hochvoltoptionen und integrierten Flashspeichern für komplexe System-on-Chip-Lösungen

X-FAB Silicon Foundries erweitert heute ihren 0,18-Mikrometer-Hochvolt-Prozess (XH018) um eine äußerst zuverlässige, neue integrierte eFlash-Lösung. Mit der weltweit geringsten Maskenanzahl von insgesamt nur 32 Masken für die Kombination von Digital-, Analog- und Hochvoltfunktionen inklusive eFlash bietet der Prozess das beste Kosten-Nutzen-Verhältnis der Foundry-Industrie für komplexe System-on-Chip-Lösungen (SoCs). Um das eFlash-Modul zu verwenden werden nur zwei zusätzliche Masken benötigt. Die Technologie unterstützt Betriebsspannungen bis zu 45 V sowie die gleichzeitige Integration von drei verschiedenen Speicherarchitekturen – EEPROM, NVRAM und eFlash. Die verfügbaren Technologiekombinationen sind bestens geeignet für schnelle Mikrocontroller, digital-gesteuerte Leistungselektronik- und Automobilanwendungen. X-FAB wird die neue Lösung in einem englischsprachigen Webinar mit dem Titel „Reliable Non-Volatile Memories Made Easy – eFlash & Other Embedded NVM Solutions in 0.18 Micrometer“ vorstellen. Termine sind der 12. Juli 2011 für Nord- und Südamerika sowie der 13. Juli 2011 für Europa und Asien.

Derzeit sind zwei IP-Blöcke erhältlich – 8 K x 32 Bit und 16 K x 32 Bit. Der On-Chip-Speicherblock lässt sich leicht integrieren, bietet einen schnellen Zugriff und ist robuster als externe Speicher. Die neue XH018-eFlash-Lösung beinhaltet optionale Fehlerkorrekturalgorithmen, wodurch Fehler in Echtzeit korrigiert werden können. Sie benötigt Betriebsspannungen von 1,8 V und 3,3 V und bietet unabhängig von Temperatur-, Spannungs- und Prozessänderungen eine schnelle Zugriffszeit von 50 Nanosekunden innerhalb des gesamten Betriebsbereichs. Der Stromverbrauch ist mit 200 Mikroampere pro MHz überaus niedrig. Der Betrieb im Lesemodus ist bis zu einer Temperatur von 175 Grad Celsius auf der Chipoberfläche möglich.

Dazu Rudi De Winter, CEO bei X-FAB: „Unsere Kunden nutzen die eFlash-Technologie als Plattform zur Entwicklung ganzer Produktfamilien. Die integrierte XH018-eFlash-Lösung ermöglicht mit Hilfe von Softwareanpassungen eine vereinfachte Konfiguration ihrer anwendungsspezifischen Standardprodukte, sowie eine Optimierung der Leistungsfähigkeit. So können sie auf Basis einer einzelnen zuverlässigen NVM-Architektur, die einfach zu integrieren, zu konfigurieren und zu benutzen ist, komplette Produktfamilien entwickeln. Die XH018-eFlash-Lösung bietet die perfekte Kombination von Hochvolt- und integrierten Flash-Optionen für kostengünstige komplexe SoCs.“

Die XH018-eFlash-Lösung erweitert X-FAB’s bestehendes Angebot an integrierten nichtflüchtigen Speichertechnologien (NVM), das derzeit sowohl einmal programmierbare TrimOTP- als auch nichtflüchtige RAM-Speicheroptionen (NVRAM) umfasst. Diese beinhalten ein Kompilierprogramm, das Entwicklern ermöglicht, die Speicherblöcke entsprechend ihren individuellen Anforderungen anzupassen.

Verfügbarkeit
Das XH018-NVM-Designkit und die entsprechenden Flash-IP-Blöcke können ab sofort lizenziert werden. Sie sind über X-FAB’s technisches Informationsportal X-TIC abrufbar. Die gebrauchsfertigen Blöcke werden derzeit im Rahmen des Qualifizierungsprozesses umfassenden Tests unterworfen. EEPROM-Speicherblöcke werden im vierten Quartal diesen Jahres verfügbar sein. Anfang nächsten Jahres wird X-FAB weitere Speicherblöcke sowie eine umfassende Hochtemperaturcharakterisierung anbieten.