X-FAB stellt zur FSA Suppliers Expo die Erweiterung der 0,35 µm Prozessfamilie um Hochvolt-Option und BiCMOS-Technologie vor

Erfurt, Germany, Oktober 6, 2004.

Die X-FAB Semiconductor Foundries AG, eine der führenden analog mixed-signal Foundries weltweit, gibt auf der FSA Suppliers Expo die Erweiterung ihrer modularen 0,35 µm-Prozessfamilie um eine Hochvolt-Option sowie eine 0,35 µm BiCMOS-Technologie bekannt. Damit setzt X-FAB das Know-how und die langjährige Erfahrung in mixed-signal Technologien auch in der 0,35 µm-Plattform erfolgreich um.

Die 0,35 µm CMOS-Technologie XH035 ist mit nahezu frei kombinierbaren Zusatzmodulen flexibel erweiterbar und erfüllt damit die hohen Anforderungen an die Versorgungsspannung für industrielle, Konsumgüter- und Automobilanwendungen. Neben der 3- und 4-Lagen-Metallisierung und einem zweiten Gate-Oxid für Transistoren mit unterschiedlichen Durchbruchspannungen von bis zu 50 Volt stehen auch wannenisolierte 3,3 Volt Transistoren, EEPROM-Speicherzellen, Doppel-Poly und MIM-Kapazitäten zur Verfügung. In einer späteren Version werden auch Flash Speicher verfügbar sein.

Die 0.35 µm BiCMOS-Technologie XB035 bietet u. a. Doppel Poly und MIM-Kapazitäten, eine 3- oder 4-Lagen-Metallisierung oder alternativ ein dickes viertes Metall für Induktivitäten. XB035 ist insbesondere für Applikationen bis 2,4 GHz geeignet, z.B. Bluetooth, WLAN oder ISM-Sender/Empfänger.

Beide Technologien werden auf X-FAB's moderner 200mm-Fertigungslinie am Standort Plymouth (UK) gefertigt.

"Den Trends der Industrie folgend bieten wir mit den Erweiterungen der Hochvolt- und mixed-signal Eigenschaften unserer 0,35 µm Technologie hoch integrierte Lösungen, insbesondere für Automobilanwendungen, Power-Management-Lösungen und für intelligente Display-Treiber-Produkte," sagte Thomas Hartung, VP Marketing & Sales der X-FAB Gruppe. "Die entsprechenden DesignKits in
dem von X-FAB üblichen Standard sind ab sofort erhältlich."