X-FAB startet RF-CMOS-Programm für Kommunikationstechnologien im Sub-Mikrometer-Bereich

Zweistufiges Programm mit 0,35 Mikrometer und 0,18 Mikrometer RF-CMOS-Prozessen erlaubt effiziente, kostengünstige Kombination von RF-CMOS

X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende analog/mixed-signal Halbleiterfoundry, erweitert ihre Technologiefertigkeiten im Bereich Kommunikationstechnologie. Das neue RF-CMOS-Programm ergänzt den vorhandenen Basis-Prozess und wird zu bedeutend kürzeren Entwicklungszeiten für HF Produkte führen. Das zweistufige Programm umfasst den neu eingeführten XH035 RF-CMOS-Prozess, der einen kostengünstigen, einfachen Zugang zu Bibliothekselementen für ISM Band- und ZigBee-Anwendungen ermöglicht, sowie einen 0,18 Mikrometer RF-CMOS-Prozess, der im Laufe des ersten Halbjahres 2007 zur Verfügung stehen wird und verschiedene modulare Optionen inklusive Non-Volatile Memory Lösungen und High-Voltage Funktionalität bietet.

Dazu Thomas Hartung, Vice President Sales & Marketing bei X-FAB: „Wir sind stolz darauf, unser Angebot auf dieses neue Anwendungsgebiet ausweiten zu können. Unsere Kunden erhalten den bekannt einfachen Zugang zu diesen Technologien und profitieren von zuverlässigen Modellen und verkürzten Entwicklungszeiten. Das neue Technologieangebot unterstützt die Produkt-Roadmap vieler auf HF-Komponenten spezialisierter Unternehmen bei der Entwicklung von Schaltkreisen für Kommunikationstechnologien unter Nutzung von X-FAB’s Design Kits, welche in der Industrie führend sind. Da dieser neue Ansatz auf den bereits existierenden 0.35 Mikrometer und 0.18 Mikrometer Prozessplattformen aufbaut, können unsere Kunden ihre aktuelle Design-IP in der bestehenden Design-Umgebung Kosten sparend wieder verwenden."

X-FAB’s neuer XH035 RF-CMOS-Prozess bietet einen einfachen Zugang zum weltweit genutzten Industrial, Scientific and Medical (ISM) 2,4 GHz-Frequenzband sowie zu ZigBee-Anwendungen für Produkte, die den 2,4 GHz-Bereich des Radiowellenspektrums nutzen. ZigBee ist eine kostengünstige, standardbasierte kabellose Netzwerklösung, die niedrige Datenraten und geringen Energieverbrauch bietet und als sicher und zuverlässig gilt. Der neue Prozess erlaubt es, den 0,35 Mikrometer Basis-Prozess beliebig mit existierenden Modulen wie X-FAB’s High-Voltage und Non-Volatile Memory Modulen zu kombinieren. So lässt sich ein Teil des Basis-Prozesses zu einer existierenden Plattform hinzufügen. Dies erspart eine zeit- und kostenintensive Umsetzung auf eine andere Plattform.

Der neue XH035 RF-CMOS-Prozess bietet u.a. Induktoren, Varaktoren, MIM-Kapazitäten und RF-MOS Transistoren an und ist zusammen mit verschiedenen Versionen digitaler Bibliotheken, inklusive einer 3,3 Volt Standardbibliothek und einer isolierten 3,3 Volt-Variante erhältlich. X-FAB stellt kostengünstige Prototypenlösungen wie Multi-Project Wafer (MPW) Runs und Multi-Layer Masken (MLM) zur Verfügung, wobei durch die Aufbringung von vier Belichtungsebenen auf einer Maske die Kosten pro Maske bis zu 25 Prozent reduziert werden können.