X-FAB stellt neuartige trench-isolierte Smart-Power-Technologie vor

X-FAB Semiconductor Foundries AG, eine der führenden mixed-signalFoundries weltweit, stellt ihren Kunden ab sofort eine neuartige Smart-Power-Technologie (XD10H) zur Verfügung. Die XD10H-Technologie basiert auf einem trench-isolierten SOI-Prozess und eignet sich insbesondere für den Einsatz in verschiedensten Netzspannungs-anwendungen bis zu 230 Volt.

XD10H ist ein modular aufgebauter Halbleiterprozess. Durch dielektrische Isolation können
DMOS-, bipolare und 1,0 µm CMOS-Prozesseigenschaften kombiniert werden. Dies ermöglicht
die Integration vielfältiger MOS- sowie Bipolar-Elemente für verschiedene Spannungen.
Neben vordefinierten 650 Volt und 350 Volt N-Kanal DMOS-Transistoren mit unterschiedlichen
Einschaltwiderständen, sind auch CMOS-Transistoren für den Spannungsbereich zwischen 5
und 20 Volt verfügbar. Zusätzlich können komplexe CMOS-Schaltungen auf Grundlage
der 1 µm-Design-Regeln integriert werden.

Hauptprozessmodul ist ein Hochvolt-DMOS-Prozess mit einer Durchbruchspannung von 650 Volt
mit Trench-Isolierung, einer Gate-Oxid-Schicht sowie drei Metallisierungsebenen. Durch den
Einsatz von XD10H mit Trench-Isolation ist die Chipgröße für Komponenten, die eine 650 Volt
Spannungsfestigkeit erfordern, erheblich geringer als beim Einsatz der herkömmlichen pn-Isolation.

Zu den wichtigsten Anwendungen dieser Technologie gehören Analogschalter-ICs, Treiber-ICsfür kapazitive, induktive und ohmsche Lasten sowie El/Piezo-Treiber-ICs für Anwendungenmit einem Netzanschluss von 230 Volt.X-FAB's Kunden profitieren auch bei XD10 vom gewohnt umfassenden Design Support. Dasentsprechende DesignKit enthält Schaltungsbibliotheken und -modelle sowie eine ausführlicheDokumentation.