X-FAB发布首款针对高温模拟/混合信号应用的CMOS制程工艺

Erfurt, Germany, 九月 8, 2009.

业界领先的模拟/混合信号晶圆厂和“超越摩尔定律”技术领域的专家,X-FAB Silicon Foundries,今天发表了一款全面的模拟/混合信号互补金属氧化物半导体(CMOS)高温制程工艺-XA035,可用于操作温度高至摄氏175度的集成电路(IC)。模块式0.35微米工艺创造性地启用耐高温系统级芯片(SoC)解决方案,将高压(HV)和内嵌非易失性存储器(NVM)元件相组合。设计支持中包括XA035寿命计算器,这是一种针对既定任务设定计算预期集成电路寿命的全新工具,可 帮助决定寿命/温度折衷。新的XA035高温工艺超越了以严格著称的AEC-Q100汽车集成电路质量可靠性压力测试标准。与分立解决方案相比,新工艺提供成本效益更高的集成电路解决方案,可在严酷环境中操作。XA035工艺理想地适用于汽车、工业和军工市场上的高精度模拟电路、传感器前端和无刷直流电机驱动器。


X-FAB产品营销副经理Thomas Hartung表示:“我们希望XA035工艺凭借超前的支持范围和准确的温度效应模型,在汽车高温应用和功能转换产品领域打开市场。在高温应用中,如工厂自动化阀门控制、无刷直流电机驱动器、传感器界面或钻孔或喷气发动机控制,XA035适合那些寻找成本有效解决方案的客户。”


全面解决方案,灵活设计支持
XA035技术包括一整套简单设备,例如高压晶体管和合格的非易失性存储器等等,从而完成模拟/混合信号SoC设计。0.35微米单聚合、三重金属N阱CMOS基础工艺特点是操作温度高至175°C,最大绝对值185°C。电压范围从3.3至45V。同时配备小面积EEPROM区块,包括电荷泵,满足汽车质量要求。所有XA035模块的设计规则和晶体管性能与X-FAB公司的高端0.35微米CMOS工艺兼容。


X-FAB提供XA035设计工具,涵盖所有主要EDA平台。同时还包含针对面积、速度、低功率或低噪声优化的各种密集标准单元库; 以及I/O库,包括ESD支持。所有产品库均考虑温度效应。


此外,XA035支持寄生二极管模型。这一新功能可进行预先配置寄生二极管泄漏模拟,使设计者可在设计流程早期模拟高温泄漏。


可用性
新的高温应用XA035技术现在可用。