X-FAB公布首款0.35微米100V高压纯晶圆代工厂技术 并缩小现有设备的硅占位

NEWS, Erfurt, Germany, 七月 15, 2010.

最新操作电压范围为45100伏,支持锂电池管理、网络供电、喷墨与超声波成像的压电驱动器,以及其它新兴高速发展的应用装置

德国埃尔夫特,2010714日。 X-FAB Silicon Foundries,业界领先的模拟/混合信号晶圆厂及“超越摩尔定律”技术的专家,今天公布了业界首款100V高压0.35微米晶圆厂工艺。它能用于电池管理,提供新类型的可靠及高性能电池监控与保护系统。它也非常适合用于功率管理设备,以及用于使用压电驱动器的超声波成像和喷墨打印机的喷头。此外X-FAB加入了新兴改良式N类与P类双扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管,对于达到100V的多运作电压,导通电阻可降低45%,晶片的占位能够降低40%,从而降低了晶粒的成本。X-FAB将于727日至28日向全球提供一次免费的网络讲座,探讨这些新功能,网络讲座的议题是“将业界首款0.35微米100V纯晶圆代工厂工艺应用于高压装置” 。

X-FAB首席技术官Jens Kosch说:“随著可再生能源越来越流行,混合动力与电动车、光电池与风力涡轮机等都需要安全高效的能源存储管理方案。當客户使用X-FAB最新的专业高压工艺時,便能够应对这些问题,以及用较低的成本应对其他一些潜力巨大的新兴设备。例如我们发现锂电池的功率管理解决方案很受关注,全球的主要汽车制造商都表现出浓厚兴趣。通过X-FAB的最新HV工艺,他们就能实现更安全、更高性能的电池监控与保护系统。”

各功能的平均成本更低

X-FAB最新改良型N类与PDMOS晶体管门氧化物厚度为14纳米或40纳米,客户根据其设备的要求有5V12V驱动能力可选,操作电压为55V75V100V。通过大幅降低导通电阻,将EEPROM功能集成到基线工艺,进行修整和程序存储,并使用一个厚金属层作为第三个金属层,X-FAB已经大大降低了各功能的平均成本。此外,新加入的独立5V NMOSPMOS设备能够操作于0V100V之间的电压。其他设备改良包括肖特基(Schottky)二极管、20V100V高压电容,以及双极晶体管。

供应情况

以上的所有功能与设备目前已经作为X-FAB0.35微米高压工艺产品(XH035)的一部分推出。

X-FAB简介

X-FAB是业界领先的模拟/混合信号晶圆代工厂集团,致力于模拟-数字集成电路(混合信号集成电路)硅晶圆生产。X-FAB在德国爱尔福特和德累斯顿、美国德克萨斯州拉伯克和马来西亚沙捞越州古晋设有晶圆生产工厂,在全球拥有约2400名员工。所有晶圆均采用技术规格为1.0-0.18微米的CMOSBiCMOS高级模块制造,主要应用于汽车、通信、消费电子和其他工业领域。更多详情,请登录www.xfab.com