X-FAB 0.18um高压工艺提供嵌入式闪存(eFlash)

NEWS, Erfurt, Germany, 七月 5, 2011.

XH018 嵌入式闪存(eFlash) 工艺为高阶系统芯片(SoCs)提供业界最具性价比的高压整合方案


2011
75日,德国艾尔福特(Erfurt) – X-FAB Silicon Foundries XH018 0.18um高压工艺上增加高可靠性的嵌入式闪存(eFlash)方案。此方案提供了业界最少的光罩版数,32其中包含数字模拟高压元件并闪存而闪存只要额外2。对高阶片上混合信号系统芯片(SoCs)此方案具有极高的性价比,其中的45V高压元件与嵌入式内存EEPROM非挥发性随机内存(NVRAM) 嵌入式闪存(eFlash)适用于高速微处理器、数字电源、和车用电子。
X-FAB
将于2011713日举办一场免费的网络研讨会来讨论此项 简单且可靠的非挥发性内存(NVM) – 0.18um的嵌入式闪存(eFlash)与嵌入式非挥发性内存(eNVM)”


两种不同的内存模块
8K x 32-bit 16K x 32bit –XH018嵌入式闪存(eFlash)方案 易于整合、快速存取,并且比非嵌入式内存更耐用。此方案包含纠错码(ECC)的功能,允许程序在执行的同时修正错误。在1.8V3.3V工作电压下,提供50nS快速读取,并且不受温度、工作电压和工艺漂移的影响,而且支援低功耗(200uA/MHz) 高温读取(摄氏175)的特性

XFAB
总裁Rudi De Winter表示:“客户告诉我们,他们要用嵌入式闪存eFlash技术作为平台来研发整个系列的产品。有了我们XH018嵌入式闪存(eFlash)方案,客户可以非常容易地修改软件来根据应用改变产品的性能与定义。因此,客户只要有一个高可靠性与高整合性的电路架构,就

可以开发整个系列的产品。对于讲求性价比与复杂性的片上系统芯片
(SoCs)XH018嵌入式闪存(eFlash)方案提供一项完美且包含高压制程的组合。”

XH018
嵌入式闪存(eFlash)方案也结合X-FAB已有的嵌入式非挥发性内存(NVM),包含一次性可编程(OTP)与非挥发性随机内存(NVRAM)XFAB更提供编译工具帮助工程师依据自身的需要来定义内存的使用。


XH018
嵌入式非挥发性内存(NVM)的设计套件与IP已开放授权并可在X-FAB技术中心(X-TIC)下载使用,其中EEPROM将于2011年第四季度开放授权。而整套的电路块正在进行综合地测试以通过最后的合格验证。X-FAB计划于2012年年初提供另外不同尺寸的内存及高温的特性数据。

X-FAB简介

X-FAB是顶尖的模拟/数字集成电路(混合讯号IC)的晶圆代工业者。X-FAB目前全球员工人数约为2400名,所拥有代工厂位于德国的艾尔福特(Erfurt)与德勒斯登(Dresden)美国德州的卢伯克(Lubbock)和马来西亚沙劳越的古晋(Kuching)。代工制程以先进模块化CMOSBiCMOS为基础,搭配1.00.13微米技术,涵盖以汽车、通信、消费性产品与工业部门为主的各种应用。相关信息请上网址www.xfab.com